Томский институт разработал оборудование для Центра ядерных исследований Польши

Опубликовано 06.06.2014 г.

9 июня в Институт сильноточной электроники (ИСЭ) СО РАН в Томске прибудет делегация ученых и специалистов Национального центра ядерных исследований Польши.

IMG_2299.jpg

Европейские специалисты приезжают для тестирования и приема оборудования, изготовленного ИСЭ и компанией «Микросплав» по заказу Польского ядерного центра. Это первая в мире установка, в который совмещены возможности имплантации полупроводниковых материалов многозарядными ионами и отжига дефектов, возникающих в этих материалах при имплантации, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка.

Оборудование предназначено для получения полупроводниковых материалов, обладающих качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в области микроэлектроники. Польские специалисты привезут с собой ряд образцов: первые эксперименты будут проведены на Томской земле.

Институт сильноточной электроники СО РАН является признанным мировым лидером в сфере разработки сложнейшего электрофизического оборудования, предназначенного как для фундаментальных исследований, так и для использования в высокотехнологичных отраслях промышленности.