В Томске создают диоды для применения в устройствах связи 5G

Опубликовано 03.07.2019 г.
Разработчики из Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) и компании «Микран» создают быстродействующие диоды на основе гетероструктур нитрида галлия для применения в устройствах беспроводной связи пятого поколения (5G).

2cc7fa7cd9704851f1b980da70fc48fb_lg03ff7b.jpg

«Нитрид галлия по частотным свойствам лучше кремния, сохраняет работоспособность при высоких температурах и обладает высокой радиационной стойкостью. Он современный и теоретически более перспективный, чем многие другие разрабатываемые материалы. Диоды на основе нитрида галлия могут использоваться в модуляторах источников питания базовых станций связи», — рассказывает аспирант
кафедры физической электроники ТУСУР Иван Федин.

По словам разработчиков, в ТУСУРе есть необходимое для исследований оборудование, а в «Микране» — производственная база. В настоящее время изготовлены лабораторные образцы диодов, ведется исследование их электрических характеристик.

«В последние годы кремниевая электроника достигла теоретического предела, для создания перспективной электронной компонентной базы для устройств беспроводной связи пятого поколения (5G) требуется переход на новые полупроводниковые материалы, такие как арсенид галлия, нитрид галлия, карбид кремния, — говорит Иван Федин. — Насколько мне известно, серийных базовых станций 5G пока нет. Компании, которые работают над этим, делают ставку на разные полупроводники. Мы работаем с нитридом и арсенидом галлия и рассчитываем получить импортозамещающие компоненты для современных электронных устройств».