Cистема компьютерного моделирования задач электромагнитной совместимости TALGAT

От 50 тыс. руб. за 1 лицензию, скидки при покупке нескольких лицензий Производитель: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Подробное описание

При проектировании радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) обязателен учёт требований по ЭМС, все более обостряющейся с ростом плотности монтажа и верхней частоты спектра полезных и помеховых сигналов в РЭА, а также с уменьшением уровней полезных и ростом уровней помеховых сигналов. Натурные испытания РЭА на ЭМС и её повторное проектирование из-за неудовлетворения всё более жёстким требованиям ЭМС значительно удорожают и замедляют проектирование, создавая серьёзные препятствия для выпуска готовой продукции на рынок. Поэтому становится актуальной разработка специализированного программного обеспечения, позволяющего проводить моделирование задач ЭМС на этапах проектирования и разработки РЭА.

Особенности технологии производства

Тесное взаимодействие между разработчиками и пользователями системы моделирования ЭМС, обеспечивающее эффективное сопровождение и модернизацию системы; развитие системы моделирования ЭМС, ориентированное на перспективные образцы радиоэлектронной аппаратуры; применение новейших теоретических моделей, программная реализация которых отсутствует в существующем коммерческом программном обеспечении.

Технические характеристики

Система TALGAT обладает иерархической структурой и включает в себя следующие уровни иерархии: комплекс, компонент. 


Перечень комплексов для выполнения соответствующих функций:

  • квазистатического анализа двумерных структур; 
  • квазистатического анализа (вычисление матриц) трёхмерных структур; 
  • электродинамического анализа трёхмерных структур; 
  • структурно-параметрической оптимизации; 
  • вспомогательных программ. 
4.1 Комплекс квазистатического анализа двумерных структур 
  • В состав комплекса квазистатического анализа двумерных структур (модуль MOM2D) входят программные компоненты: ввода;
  •  дискретизации;
  •  отображения; 
  • вычисления матриц, вычисления отклика.
 Комплекс квазистатического анализа двумерных структур предназначен для: 
  • ввода параметров исходной структуры; ручной и автоматической дискретизации границ разделов структур; 
  • графического цветного двумерного отображения исходной структуры;
  •  графического цветного двумерного отображения дискретизации структуры; текстового отображения результатов вычисления; вычисления матриц C, C0, L, L0.
В комплексе квазистатического анализа двумерных структур число проводников и диэлектриков определяется объемом доступной памяти, а граница разделов проводник-диэлектрик и разделов диэлектрик-диэлектрик представляется кусочно-линейной, произвольной ориентации. Вычисляется отклик на воздействие сигнала произвольной формы (гармонический, импульсный приодический: трапецоида, гауссов импульс, двойная экспонента, электростатический разряд, задаваемый текстовым файлом) произвольной структуры из отрезков многопроводных линий передачи с произвольными схемами с сосредоточенными параметрами на стыках. 
4.2 Комплекс квазистатического анализа трёхмерных структур 
В состав комплекса квазистатического анализа трёхмерных структур (модуль MOM3D) входят программные компоненты: 
  • ввода; 
  • дискретизации; 
  • отображения; 
  • вычисления матриц. 

Комплекс квазистатического анализа трёхмерных структур предназначен для: 
  • ввода параметров исходной структуры; 
  • ручной дискретизации границ разделов структур; 
  • графического цветного трехмерного отображения исходной структуры;
  • графического цветного трехмерного отображения дискретизации структуры; 
  • текстового отображения результатов вычисления; 
  • вычисления матрицы C. 

В комплексе квазистатического анализа трёхмерных структур число проводников и диэлектриков определяется объемом доступной памяти, граница разделов проводник-диэлектрик и разделов диэлектрик-диэлектрик представляется кусочно-плоской, ориентации ортогональной осям X,Y,Z. 
4.3 Комплекс электродинамического анализа трёхмерных структур 
В состав комплекса электродинамического анализа трёхмерных структур (модуль MOMW) входят программные компоненты:
  • ввода; 
  • дискретизации; 
  • отображения; 
  • вычисления токов; 
  • вычисления характеристик. 

Комплекс электродинамического анализа трёхмерных структур предназначен для: 
  • ввода параметров исходной структуры; 
  • ручной и автоматической дискретизации проводов по длине; графического цветного трехмерного отображения исходной структуры; 
  • графического цветного трехмерного отображения дискретизации структуры; текстового и графического отображения результатов вычисления. 
Он позволяет (для гармонического воздействия с заданным напряжением в зазоре источника) вычисление: 
  • токов в структуре; 
  • входного адмиттанса; 
  • входного импеданса; 
  • коэффициента отражения по напряжению; 
  • коэффициента стоячей волны по напряжению; 
  • коэффициента направленного действия; 
  • вектора напряжённости электрического поля E в дальней зоне и его составляющих в ортогональной и сферической системах координат.
В комплексе электродинамического анализа трёхмерных структур исследуемые структуры представляются в виде тонкопроводных структур, число проводов определяется объемом доступной памяти, провода представляются кусочно-линейными отрезками произвольной 3D ориентации, обеспечивается возможность включения в провод сосредоточенных нагрузок вида последовательной RLC цепи и параллельной RLC цепи. 

4.4 Комплекс структурно-параметрической оптимизации 
В состав комплекса структурно-параметрической оптимизации входят программные компоненты: 
  • генетических алгоритмов; 
  • эволюционных стратегий; 
  • алгоритма неявного фильтрования; 
  • параметрической оптимизации; 
  • структурной оптимизации. 
4.5 Комплекс вспомогательных программ 
В состав комплекса вспомогательных программ входят программные компоненты: утилит; 
  • матричных операций; 
  • инфиксных выражений; 
  • пользовательских расширений; 
  • конвертации данных; 
  • ядра системы.

Потребительские свойства

Рассмотрим работу cистемы TALGAT на примере моделирования ЭМС печатных плат (ПП). На вход подаются данные о геометрии, компонентах и материалах ПП, которые либо вводятся пользователем с помощью средств графического или текстового ввода, либо импортируются из файлов формата САПР ПП. Геометрическая математическая модель (ММ) ПП подается на вход двух блоков: блока электродинамического анализа и блока генерации ММ трасс, контактных площадок и переходных отверстий. 

 В случае электродинамического анализа пользователь вводит воздействие помехи, после чего выполняется тонкопроводная аппроксимация трасс ПП и электродинамический анализ полученной структуры. Результатом анализа являются значения E напряженности электрического поля в заданных точках ПП. Для этих точек в процессе ввода требований ЭМС пользователем задаются пороговые значения Emax, которые в блоке обработки результатов сравниваются с расчетными. Если E<Emax для всех заданных точек, то анализируемая ПП удовлетворяет требованиям ЭМС по максимальным значениям напряженности электрического поля.
В случае квазистатического анализа выполняется генерация двумерных геометрических ММ отрезков трасс ПП и трехмерных геометрических ММ контактных площадок и переходных отверстий, а также подготовка схемы соединений и ММ компонентов. Геометрические модели анализируются с целью получения матриц параметров. Затем с учетом введенного пользователем воздействия помехи создается электрическая принципиальная схема, для которой вычисляются временной и частотный отклики. В блоке обработки результатов полученные значения U(t), I(t), U(f), I(f) сигналов в узлах принципиальной схемы сравниваются с заданными пользователем пороговыми значениями. Если для всех временных и частотных точек значения U(t), I(t), U(f), I(f) не превышают пороговых, то анализируемая ПП удовлетворяет требованиям ЭМС по максимальным значениям амплитуды сигналов.

Коммерческая информация

Предоплата 100%. Срок поставки 3 дня после оплаты

Конкурентные преимущества

Учитывая, что на крупном предприятии программным обеспечением для моделирования ЭМС необходимо оснащать десятки рабочих мест, высокая стоимость лицензий является серьезной финансовой проблемой и исключает вариант закупки таких дорогостоящих зарубежных продуктов, как системы моделирования ЭМС компаний CST и Ansys. Более дешевые аналоги не содержат всех необходимых средств для моделирования ЭМС (одновременно схемного, квазистатического и электродинамического анализов) в одном программном продукте, что делает необходимыми закупку нескольких программных продуктов и разработку методик их сопряжения и совместного использования.

Наличие испытаний

Правовая защита технологических решений

Категория

  1. Другое

  2. Программное обеспечение

Заказать