Получение наноразмерного карбида кремния плазмодинамическим методом

Подробное описание проекта

Назначение

Карбид кремния – полупроводниковый материал с уникальными электрофизическими свойствами, которые позволяют создавать на его основе стойкие к внешним воздействиям устройства силовой, высокомощной, высокотемпературной, высокочастотной электроники, что является недостижимым явлением для традиционных электронных технологий, а также высокотвердые абразивные и режущие инструменты, многофункциональную керамику с высокими эксплуатационными характеристиками. Служит для создания на его основе сверхтвердых материалов, стойких к термически и химически агрессивным средам, радиационному излучению, многофункциональной керамики с высокими эксплуатационными характеристиками, а также устройств силовой, высокомощной, высокотеипературной и высокочастотной электроники.

Текущая стадия проекта

Проект находится на завершении стадии НИР, получен экспериментальный образец порошкообразного продукта с процентным содержанием чистого карбида кремния более 96 %; планируется начать стадию ОКР проекта с целью создания экспериментальной технологической установки и получения промышленного образца.

Резюме проекта

Цель проекта: реализовать производство наноразмерного карбида кремния плазмодинамическим методом.

Задачи проекта:

  • разработка плазмодинамического метода синтеза наноразмерного карбида кремния;
  • получение опытного образца наноразмерного карбида кремния;
  • оптимизация метода синтеза;
  • получение образца наноразмерного карбида кремния, отвечающего заявленным свойствам и стандартам качества продукции;
  • реализация продукта конечным потребителям с возможностью дальнейшего создания на его основе устройств электроники.

Существующие методы синтеза SiC недостаточно эффективны (чистота, дисперсность продукта, длительность синтеза), что не позволяет полностью реализовать его электрофизические свойства. Предлагаемый способ производства позволяет избавиться от недостатков традиционных методов.

Наличие защиты результатов интеллектуальной деятельности